SK Hynix обяви началото на доставката на ново поколение DRAM Moble Memory, предназначено да намали прегряването в смартфони. Производителят твърди, че топлинната проводимост на чиповете се увеличава с 350%, което трябва да реши проблема с спада на производителността при големи товари.
Новостта се основава на материал, наречен High-K Epoxy Forming Compound. Поради тази промяна, топлинното съпротивление във вертикална посока намалява с 47%. Подобно усъвършенстване е особено важно за съвременните смартфони, където чиповете на паметта често са разположени отгоре на процесора. При интензивна работа този дизайн води до натрупване на топлина и влошаване на скоростта на устройството.
Решението на SK Hynix трябва да повлияе не само на стабилността на смартфона, но и продължителността на батерията. По -ефективното отстраняване на топлина ще намали риска от прегряване и ще позволи на устройствата да поддържат декларираните характеристики по -дълго.
Компанията обясни, че е постигнала подобрение на термичната проводимост чрез добавяне на алуминиев оксид към силициев оксид, използван в съединението. Тази комбинация ви позволява по -ефективно да разпределяте топлина вътре в смартфона.
